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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心專用儀器儀表DP-2263雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀DP-2263

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀DP-2263

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀DP-2263

概述
DP-2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)-改形范德堡測(cè)量方法測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合單晶硅物理測(cè)試方法家標(biāo)準(zhǔn)并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電

產(chǎn)品型號(hào):DP-2263
更新時(shí)間:2023-06-29
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
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雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀DP-2263

概述
     DP-2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)-改形范德堡測(cè)量方法測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合單晶硅物理測(cè)試方法家標(biāo)準(zhǔn)并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)行雙電測(cè)分析,自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,它與單電測(cè)直線或方形四探針相比,大大提確度,特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。 

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀DP-2263
     儀器成套組成:由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)以及PC軟件等分組成。
     主機(jī)主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成,USB通訊接口。儀器主機(jī)所有參數(shù)設(shè)定、能轉(zhuǎn)換采用數(shù)字化鍵盤和數(shù)碼開關(guān)輸入;具有零位、滿度自校能;測(cè)試能可自動(dòng)/手動(dòng)方式;儀器操作可由配套軟件在PC機(jī)上操作成,也可脫P(yáng)C機(jī)由四探針儀器面板上立操作成。測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)由主機(jī)數(shù)碼管直接顯示,也可連機(jī)由軟件界面同步顯示、分析、保存和打??!
     探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭,以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有形鍍金銅合金探針探頭,可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻行測(cè)量。


     測(cè)試臺(tái)選配:般四探針法測(cè)試電阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型測(cè)試臺(tái)。
          
     儀器具有測(cè)量度、靈敏度、穩(wěn)定性好、化程度、測(cè)量簡(jiǎn)便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。
     儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試,特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。
三、基本參數(shù)
3.1  測(cè)量范圍
    電阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm    方  阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□
    電  阻:1×10-5~2×105 Ω   ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω
3.2  材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)決定和測(cè)試方式?jīng)Q定)
    直    徑:DP-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm,手持方式不限
    DP-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm,手持方式不限.
    長(zhǎng)()度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限.
    測(cè)量方位: 軸向、徑向均可
3.3.  4-1/2 位數(shù)字電壓表:
    (1)量程: 20.00mV~2000mV
    (2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字
3.4  數(shù)控恒流源
   (1)量程:0.1μA,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA,1A
   (2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字
3.5  四探針探頭(選配其或加配)
   (1)碳化鎢探針:Φ0.5mm,直線探針間距1.0mm,探針壓力: 0~2kg 可調(diào)
   (2)薄膜方阻探針:Φ0.7mm,直線或方形探針間距2.0mm,探針壓力: 0~0.6kg 可調(diào)
3.6 電源
   輸入: AC 220V±10% ,50Hz          耗:<20W
3.7 外形尺寸:
   主機(jī)  220mm(長(zhǎng))×245 mm(寬)×100mm()

 

 

 

 

四探針電阻率測(cè)試儀/四探針電阻率/方阻測(cè)定儀 型號(hào):DP-2253

概述
  
      DP-2253型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
    儀器成套組成:由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)以及PC軟件等分組成。
    主機(jī)主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成,USB通訊接口。儀器主機(jī)所有參數(shù)設(shè)定、能轉(zhuǎn)換采用數(shù)字化鍵盤和數(shù)碼開關(guān)輸入;具有零位、滿度自校能;測(cè)試能可自動(dòng)/手動(dòng)方式;儀器操作可由配套軟件在PC機(jī)上操作成,也可脫P(yáng)C機(jī)由四探針儀器面板上立操作成。測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)由主機(jī)數(shù)碼管直接顯示,也可連機(jī)由軟件界面同步顯示、分析、保存和打??!
    探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭,以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有形鍍金銅合金探針探頭,可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻行測(cè)量。配探頭,也可測(cè)試電池片等箔上涂層電阻率方阻。
    測(cè)試臺(tái)選配:般四探針法測(cè)試電阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型測(cè)試臺(tái)。二探針法測(cè)試電阻率測(cè)試選DP-K型測(cè)試臺(tái),也可選配DP-D型測(cè)試臺(tái)以測(cè)試半導(dǎo)體粉末電阻率,選配DP-G型測(cè)試臺(tái)測(cè)試橡塑材料電阻率。
      
    儀器具有測(cè)量度、靈敏度、穩(wěn)定性好、化程度、測(cè)量簡(jiǎn)便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。
    儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。
三、基本參數(shù)
3.1  測(cè)量范圍
     電  阻:1×10-4~2×105 Ω   ,分辨率:1×10-5~1×102 Ω
    電阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm    方  阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□
3.2  材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定)
     直    徑:DP-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm,手持方式不限
    DP-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm,手持方式不限.
    長(zhǎng)()度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限.
    測(cè)量方位: 軸向、徑向均可
3.3.  4-1/2 位數(shù)字電壓表:
    (1)量程: 20.00mV~2000mV
   (2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字
3.4 數(shù)控恒流源
    (1)量程:0.1μA,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA,1A
   (2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字
3.5 四探針探頭(選配其或加配)
    (1)碳化鎢探針:Φ0.5mm,直線探針間距1.0mm,探針壓力: 0~2kg 可調(diào)
   (2)薄膜方阻探針:Φ0.7mm,直線或方形探針間距2.0mm,探針壓力: 0~0.6kg 可調(diào)
3.6. 電源
    輸入: AC 220V±10% ,50Hz          耗:<20W
3.7.外形尺寸:
    主   機(jī)  220mm(長(zhǎng))×245 mm(寬)×100mm()
   凈   重:≤2.5kg

 

 

數(shù)字式四探針測(cè)試儀/電阻率/方阻測(cè)試儀 型號(hào):DP-2258C

 

概述
      DP-2258C型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。 
      儀器成套組成:由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)等分組成。 
主機(jī)主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成。儀器所有參數(shù)設(shè)定、能轉(zhuǎn)換采用數(shù)字化鍵盤輸入;具有零位、滿度自校能;電壓電流自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程;測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀特贈(zèng)設(shè)測(cè)試結(jié)果分類能,zui大分類10類。 
      探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭,以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有形鍍金銅合金探針探頭,可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻行測(cè)量。配探頭,也可測(cè)試電池片等箔上涂層電阻率方阻。 
      測(cè)試臺(tái)選配:般四探針法測(cè)試電阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型測(cè)試臺(tái)。二探針法測(cè)試電阻率測(cè)試選DP-K型測(cè)試臺(tái),也可選配DP-D型測(cè)試臺(tái)以測(cè)試半導(dǎo)體粉末電阻率,選配DP-G型測(cè)試臺(tái)測(cè)試橡塑材料電阻率。詳見《四探針儀器、探頭和測(cè)試臺(tái)的特點(diǎn)與選型參考》 
儀器具有測(cè)量度、靈敏度、穩(wěn)定性好、化程度、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡(jiǎn)便等特點(diǎn)。 
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。 
三、基本參數(shù)
1. 測(cè)量范圍、分辨率(括號(hào)內(nèi)為可向下拓展1個(gè)數(shù)量級(jí)) 
    電    阻:10.0×10-6 ~ 200.0×103  Ω,    分辨率1.0×10-6 ~ 0.1×103  Ω 
               (1.0×10-6 ~ 20.00×103  Ω,    分辨率0.1×10-6 ~ 0.01×103 Ω) 
    電 阻 率:10.0×10-6 ~ 200.0×103 Ω-cm   分辨率1.0×10-6 ~ 0.1×103  Ω-cm 
               (1.0×10-6 ~ 20.00×103 Ω-cm  分辨率0.1×10-6 ~ 0.01×103 Ω-cm) 
    方塊電阻:50.0×10-6 ~ 1.0×106 Ω/□    分辨率5.0×10-6 ~ 0.5×103  Ω/□  
               (5.0×10-6 ~ 100.0×103 Ω/□  分辨率0.5×10-6 ~ 0.1×103  Ω/□) 
2. 材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定) 
    直    徑: DP-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm,手持方式不限 
    DP-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm,手持方式不限. 
     長(zhǎng)()度:  測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限. 
     測(cè)量方位:  軸向、徑向均可 
3. 量程劃分及誤差等級(jí) 
滿度顯示 200.0 20.00 2.000 200.0 20.00 2.000 200.0 20.00 2.000 
常規(guī)量程 kΩ-cm/□ kΩ-cm/□ Ω-cm/□ mΩ-cm/□ --- 
zui大拓展量程 --- kΩ-cm/□ Ω-cm/□ mΩ-cm/□ mΩ-cm/□ 
基本誤差 ±2%FSB
±4LSB ±1.5%FSB
±4LSB ±0.5%FSB±2LSB ±0.5%FSB
±4LSB ±1.0%FSB
±4LSB

 
4.作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W 
5.外形尺寸: 245mm(長(zhǎng))×220 mm(寬)×95mm()  
   凈   重:≤1.5~2.0kg

 

 

 

 

 

數(shù)字式四探針測(cè)試儀/電阻率/方阻測(cè)試儀 型號(hào):DP-2258A

概述
       DP-2258A型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
      儀器成套組成:由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)等分組成。
      主機(jī)主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成。儀器所有參數(shù)設(shè)定、能轉(zhuǎn)換采用數(shù)字化鍵盤輸入;具有零位、滿度自校能;電壓電流自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程;測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀特贈(zèng)設(shè)測(cè)試結(jié)果分類能,zui大分類10類。
      探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭,以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有形鍍金銅合金探針探頭,可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻行測(cè)量。配探頭,也可測(cè)試電池片等箔上涂層電阻率方阻。
      測(cè)試臺(tái)選配:般四探針法測(cè)試電阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型測(cè)試臺(tái)。二探針法測(cè)試電阻率測(cè)試選DP-K型測(cè)試臺(tái),也可選配DP-D型測(cè)試臺(tái)以測(cè)試半導(dǎo)體粉末電阻率,選配DP-G型測(cè)試臺(tái)測(cè)試橡塑材料電阻率。

       儀器具有測(cè)量度、靈敏度、穩(wěn)定性好、化程度、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡(jiǎn)便等特點(diǎn)。
       儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。
三、基本參數(shù)
1. 測(cè)量范圍、分辨率(可向下拓展1~3個(gè)數(shù)量級(jí),括號(hào)內(nèi)為向下拓展3個(gè)數(shù)量級(jí))
     電    阻:1.0×10-3 ~ 200.0×105  Ω,    分辨率0.1×10-3 ~ 0.1×104  Ω
                (1.0×10-6 ~ 200.0×102  Ω,    分辨率0.1×10-6 ~ 0.1×102 Ω)
     電 阻 率:1.0×10-3 ~ 200.0×103 Ω-cm  分辨率0.1×10-3 ~ 0.1×103  Ω-cm
                (1.0×10-6 ~ 200.0×101 Ω-cm  分辨率0.1×10-6 ~ 0.1×101  Ω-cm)
     方塊電阻:5.0×10-3 ~ 100.0×104 Ω/□  分辨率0.5×10-3 ~ 0.1×103  Ω/□ 
                (5.0×10-6 ~ 100.0×101 Ω/□  分辨率0.5×10-6 ~ 0.1×101  Ω/□)
2. 材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定)
   直    徑: DP-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm,手持方式不限
   DP-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm,手持方式不限.
   長(zhǎng)()度:  測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限.
   測(cè)量方位:  軸向、徑向均可
3. 量程劃分及誤差等級(jí)
滿度顯示 200.0 20.00 2.000 200.0 20.00 2.000 200.0 
常規(guī)量程 kΩ-cm/□ Ω-cm/□ mΩ-cm/□ 
zui大拓展量程 Ω-cm/□ mΩ-cm/□ μΩ-cm/□ 
基本誤差 ±2%FSB
±4LSB ±1.5%FSB
±4LSB ±0.5%FSB±2LSB ±0.5%FSB
±4LSB

4) 作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W
5) 外形尺寸:W×H×L=215mm×85mm×190mm 
      凈   重:≤1.5~2.0kg

 

 

 

 

 

微量移液器/移液器/微量移液槍 型號(hào):DP27026

產(chǎn)品參數(shù):

1µL~10µL/20µL~200µL/100µL~1000µL/500µL~5000µL

 

 

 

 

 

溫馨提示:以上產(chǎn)品資料和圖片都是按照順序相對(duì)應(yīng)的
  
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